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米乐M6官方硅基光电子手艺的新篇章:异质集成 memresonator 的钻研与

2024-03-05 02:25:55
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  硅基光电子手艺的新篇章:异质集成 memresonator 的讨论与利用

  摘要:异质集成的 memresonator 手艺的进展标记着光子估量过程中的一个巨大里程碑,胜利地将非挥发性存储手艺与高速、节能数据解决技能相纠合。这项手艺不只映现了硅基光电子存储正在来日估量架构中的宏壮潜力,也为光估量范围的进一步革新奠定了基本

  正在可编程硅基光电子集成电途范围的新兴海潮中,深度神经收集、量子估量、以及现场可编程门阵列(FPGAs)的潜正在利用激励了平常合切。然而,而今相位安排器的调谐速率有限和高功耗成为了进展的瓶颈。针对这一寻事,《Nature Communication》1月公布的论文提出了革新处置计划:memresonator [1]。这种新型器件将金属氧化物回顾体与微环谐振器相纠合,创作出一种非挥发性的硅基光电子相位安排器。其最大亮点网罗不妨保持长达12小时的数据依旧时辰、低于5V的切换电压,并能耐受1000众次切换轮回。更引人耀眼的是,memresonator 不妨通过短至300ps的电压脉冲切换,完成了仅0.15 pJ的超低切换能量。基于异质 III-V 与硅基平台制作的这些 memresonator,不妨正在简单芯片上集成平常的光电子器件,为内存中光电子估量翻开了大门,极大胀励了集成光电子解决器的进展。

  跟着高机能估量编制的需求激增——这些编制不妨高效地履行人工智能利用,深度研习练习次序的利用量呈指数级增加,仍旧进步了摩尔定律对机能晋升的预期。别的,物联网(IoT)和角落估量中发生的大批数据必要及时解决,这进一步胀励了对硬件效劳的谋求。而今,从自愿驾驶汽车到数字助理的各式利用,大无数AI算法都是正在模仿人脑神经收集的基本上完成的,这些收集是能效估量的典型。目前利用的硬件,如ASICs、GPUs和FPGAs,正在举行神经收集重心术算时,每次乘加操作的能耗大约为0.5 pJ。

  正在无间谋求更疾更高效存储处置计划的新颖估量宇宙里,光电子存储与估量架构的交融预示着一场革命,希望打破古代电子存储的限制。本篇著作探寻了这一范围的巨大打破——一种运用异质集成 memresonator 观点的高速节能非挥发性硅基光电子存储器。这项手艺纠合了光电子的敏捷低能耗特质和电阻存储组件的非挥发性,为估量编制中的存储机能竖立了新的标杆。这一进取不只晋升了估量速率和效劳,也胀励了估量架构向着可接连、更健壮的编制演化。

  举动这项革新硅基光电子存储手艺的重心,memresonator 筑造闪现了非挥发性存储与光子布局集成方面的前沿策画与制作本事。该器件重心采用微环谐振器与金属氧化物回顾体的奇异集成,完成正在硅基底上的光调制及非挥发性存储效用。制作历程交融了硅基光电子制作圭臬与回顾原料的浸积与图案化,完成了光学和电子组件的无缝整合。这种策画不只映现了正在光子电途中直接嵌入存储的也许性,还为开垦出超敏捷、高功效的估量编制供给了新的规范。

  图 1 筑造布局与图像映现。a 映现了一个正在硅基底上集成 III–V 原料的微环谐振器的三维及剖面视图。b 描写了正在 1310 纳米波长下,微环波导内基本横电形式的场强度模仿处境。c 为 memresonator 的扫描电镜横切面图像,露出出其内部布局。d 是 memresonator 通过透射电镜拍摄的横截面图像,映现了更细密的内部布局。e 则是一块纠合了 GaAs、Al2O3 和 Si 的回顾体的透射电镜图像,显示了其复合原料的布局细节 [1]。

  异质集成 memresonator 的就业道理奇异地纠合了光电子与电阻切换手艺。器件重心通过电信号安排回顾体的电阻形态,从而直接影响临近微环谐振器的光学特色,特别是其共振波长,可通过热光效应完成。电信号的变动使得微环的共振频率相应地蜕化,从而正在穿过或从谐振器中耦合出的光中编码数据,完成非挥发性存储效用。这种机制充盈运用了回顾体和光电子布局的内正在特色,供给了一种敏捷、节能且与硅基光电子平台高度兼容的存储处置计划,为集成光子估量编制的发开展辟了新篇章。

  图 2 映现了器件的就业道理和要害特色。a 这是一个示图谋,映现了正在 memristor 内部奈何酿成和断裂导电细丝(CFs)。VSET 指的是设备 memristor 为内部低阻态(IRS)或低阻态(LRS)所需的电压。VRESET 是重置 memristor 为高阻态(HRS)所用的电压。b 正在高阻态时,给 memristor 施加读取电压(VREAD)后,波导内部载流子的散布示图谋。c 正在内部低阻态或低阻态时,施加读取电压后波导内载流子的散布图。d 是筑造的电流-电压弧线图,显示了 memristor 规范的滞后形势。为了调动筑造到分别的电阻形态,正向偏置电压下分辨采用了1 μA、50 μA 和 100 μA 的电流限度。e 映现了正在施加2V读取电压时,memresonator 正在分别形态下的光谱特色 [1]。

  memresonator 的问世为光子估量的来日进展描画了庞杂远景,其正在高速数据解决、人工智能和类脑估量等范围的利用前景宏大。其敏捷、节能且非挥发性的存储技能,格外适合于对速率和效劳央浼极高的光估量处境。预计来日,这项手艺估计将正在光电子与电子组件的集成方面开革新的也许性,希望促玉成光解决器和存储编制的降生。来日讨论将悉力于扩展这些器件正在更大存储阵列中的利用米乐M6官方,进一步晋升耐久性和数据依旧时辰,以及巩固与现有硅基光电子平台的兼容性。这一进展目标不只闪现了 memresonator 正在胀励估量架构改正方面的宏壮潜力,也预示着它正在完成越发可接连和节能的估量范式中将阐述要害效率。

  异质集成的 memresonator 手艺的进展标记着光子估量过程中的一个巨大里程碑,胜利地将非挥发性存储手艺与高速、节能数据解决技能相纠合。这项手艺不只映现了硅基光电子存储正在来日估量架构中的宏壮潜力,也为光估量范围的进一步革新奠定了基本。跟着对估量手艺范围的无间探寻,memresonator 站正在了革新的前沿,引颈着集成、可接连和高机能估量处置计划的新期间。

  著作题目:硅基光电子手艺的新篇章:异质集成 memresonator 的讨论与利用

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